我想3年内EUV光刻机将在技术上取得突破，22nm光刻技术将会上市。 14nm以下的7nm、5nm光刻技术虽然在研发技术上有突破，但仅限于实验室，距离真正的市场化还有一段时间。

我想在

1、宇航材料工艺论文格式要求，3年内能不能搞出EUV光刻机？

拥有纯国产自主知识产权光刻机技术的上海微电子公司，在2018年、2019年发货了50-60台光刻机，还只是主导90纳米工艺的光刻机。

从突破理论到试制样机，再到产品的小批量市场化，再到具有竞争力，需要很长时间，今天有14nm的光源光刻技术并不是明天就能批量生产。 目前光刻机市场霸主在荷兰研发和市场化ASML、EUV花了10年时间，2015年达到批量生产EUV光刻机。 其中的主要技术不是自主研发，而是2012年10月，以25亿美元收购了美国顶级光源企业Cymer，使用Cymer激光专利技术，在EUV光刻技术上取得了突破。

由于积体电路制造、英特尔的支持，经过10年的研发过程，2015年ASML终于可以批量生产EUV光刻技术。 积体电路制造2015年14nm工艺成熟，2018年突破7nm工艺，2020年批量生产5nm。

这表明，制作步进机的ASML公司与加工芯片的积体电路制造紧密合作，相互促进。 ASML需要积体电路制造不断反馈步进机使用中的不足，然后进行技术修改。

这样，没有积体电路制造，也就没有ASML今天的光辉。 这也表明，上海微电子上市的EUV光刻机，关键技术的突破，必须有与积体电路制造技术实力相当的制造公司作为支撑，成为其技术升级的有力支撑者。 否则，即使生产出EUV，也只能是实验室原型，无法市场化。

国产光源技术在哈佛大学等研发机构的努力下取得了进展，并在实验室取得了进展。

在我国30多年的高速发展中，始终存在着高新技术批量生产的问题。 技术已经通过了国家检查，但市场上无法批量生产，依然是进口。 高端制造业电气加工的发展历程对光刻机的发展有很好的借鉴作用。

20世纪80年代，电气加工在兴起，借鉴日本、瑞士的电气加工技术，生产了低端的手动设备。 日本、瑞士在20世纪90年代达到了稳定加工Ra0.2um的技术。 我国在北京、江苏两地有专门的电气加工研究所，经过一些研发和重大专项检测，在Ra0.15um以下取得突破。

但这样重大的技术突破只能被认为是实验室的。 因为直到今天，在我国市场上，日本、瑞士的高端机床仍然占有95%以上的市场。 国产高端机器只是宣传上的存在。

从电气加工的发展，说明了关键技术的突破，但并不意味着产品化，只能说明有能力。 真正重要的是后期与市场的交流，通过市场反馈，促进产品成熟。 由于30多年电气加工技术的追赶，距离变得更大了。 我认为这并不说明人脑子不好，而是说明缺乏组织能力、不重视市场化带来的后果。

总结： EUV光刻机是光源技术的突破和后期22nm以下加工工艺成熟的两大关键技术，需要上海微电子与最终用户的密切配合。 我们需要的不是实验室样机，而是可以批量生产的步进机。

步进EUV技术市场化，是国家芯片自主的关键，也是破解卡脖子死结的关键。 我们不介意3~5年的延迟。 在意的是有可以买到的真正的制造的EUV光刻机。

2、考研有什么加分政策吗？

第一类：加分政策加分政策主要针对以下考生： 参加大学生志愿服务西部计划、三支支援计划、农村义务教育阶段学校特岗教师专任岗位、外语教师志愿服务等项目并逾期合格的考生。

毕业或4学期临近时，这些机构会更新招聘公告。 对于不合格的学生、想进事业单位的考生来说，确实是个好选择，但近两年各地区报考人数不断增加，竞争压力较大，不好好学习的笔试分数也未必能通过。 有这些意向的学生需要早点准备。

参加西部计划、三支一扶、特岗教师等岗位的考生，3年内参加全国研究生招生考试，初试加10分，同等条件下优先录取。

文章来源：《宇航材料工艺》 网址: http://www.yhclgyzz.cn/zonghexinwen/2022/1213/582.html

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